水平[晶體]生長法是沿著水平方向生長單晶的一種方法。既可進行物料提純，又可進行生長單晶。
| 中文名稱 | 水平[晶體]生長法 |
| 英文名稱 | horizontal crystal growth method |
| 定 義 | 沿著水平方向生長單晶的一種方法。既可進行物料提純，又可進行生長單晶。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
- 套用學科
- 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科）
水平[晶體]生長法是沿著水平方向生長單晶的一種方法。既可進行物料提純，又可進行生長單晶。
| 中文名稱 | 水平[晶體]生長法 |
| 英文名稱 | horizontal crystal growth method |
| 定 義 | 沿著水平方向生長單晶的一種方法。既可進行物料提純，又可進行生長單晶。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
水平[晶體]生長法是沿著水平方向生長單晶的一種方法。既可進行物料提純,又可進行生長單晶。...
區熔技術有水平法和依靠表面張力的浮區熔煉兩種。 [1] 晶體生長技術焰熔法 這個方法的原理是利用氫和氧燃燒的火焰產生高溫,使材料粉末通過火焰撒下熔融,並落在...
所謂晶體生長是物質在特定的物理和化學條件下由氣相、液相或固相形成晶體的過程。人類在數千年前就會曬鹽和製糖。人工模仿天然礦物並首次合成成功的是剛玉寶石(α...
單晶生長法基本原理,多晶體矽料經加熱熔化,待溫度合適後,經過將籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、轉肩、等徑、收尾等步驟,完成一根單晶錠的拉制。爐內的傳熱、...
晶體生長水熱法(crystal growth by hydrothermal method)是在高溫、高壓水溶液中進行化學合成的一種方法。...
有時,區熔法僅用於提純材料,稱區熔提純。區熔夷平是使熔區來回通過材料,從而得到雜質均勻分布的晶錠。區熔法生長晶體有水平區熔和垂直浮帶壓熔兩種形式。 水平...
水平三溫區法製備低位錯和無位錯摻Si—GaAs單晶[J]. 稀有金屬, 1981(2):46-52+58. 2. 莫培根. 水平法生長無位錯 GaAs 單晶[J]. 人工晶體學報, 1984(...
晶體生長熔鹽法,又稱助熔劑法,是一種固相合成法,各種反應物均直接以固相混合參與反應。但與傳統固相法相比,熔鹽合成法中至少有一種物質相對其它反應原料大大過量,...
晶體生長焰熔法Verneuil rnethad又稱火焰熔融法。一種生長高熔點固體晶體的方法常用來生長高熔點的氧化物晶體.基本過程是將極細的氧化物粉末材料以均勻的細流慢慢地...
水平Bridgman方法和它的各種改進型,占據了GaAs生長的半數以上的市場。將固態的鎵和砷原料裝入一個熔融石英制的安瓿中,然後將其密封。多數情況下,安瓿包括一個容納...
《晶體定向生長》是2008年5月1日西安交通大學出版社出版圖書,作者是邢建東。本書適用於高等學校金屬材料及其製備相關專業的本科生,也可作為材料工程相關專業的工程...
對於某些類型的材料,溶液晶體生長是獲得單晶體的唯一方法,與熔體生長法相比,它需要的溫度較低,但是受重力的影響較大。在空間微吸力條件下、生長晶體的完整性比地面...
晶體生長方法最常用的是人工合成(人工晶體),運用較多的是從熔體中實現晶體的生長,包括直拉法(提拉法)、坩堝下降法、區熔法、焰熔法等。而晶體生長數值模擬就是...
直拉法晶體生長,由丘克拉斯基在1916年首創,利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。... 直拉法晶體生長,由丘克拉斯基在1916年首創,利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。
《晶體生長手冊3:熔液法晶體生長技術(第3冊)》關注了溶液生長法。在前兩章里討論了水熱生長法的不同方面,隨後的三章介紹了非線性和雷射晶體、KTP和KDP。通過...
《晶體生長手冊2:熔體法晶體生長技術(影印版)》介紹體材料晶體的熔體生長,一種生長大尺寸晶體的關鍵方法。這一部分闡述了直拉單晶工藝、泡生法、布里茲曼法、浮區...
製備及相關技術等方面頗具創新能力,整體研究實力處於國際先進水平,同時逐步形成優秀的研究群體;研究領域由體塊晶體向低維化方向拓展,研究層次由巨觀向介觀、微觀擴展。
中文名稱 冷坩堝晶體生長法 英文名稱 cold crucible crystal growth method 定義 採用導熱性能好的水冷銅模作坩堝,在坩堝表面形成凝固層使熔體與坩堝隔離。 套用...
磁光晶體、光學晶體、非線性光學晶體、光折變晶體、單晶光纖、寶石晶體、壓電晶體、人造金剛石、半導體晶體和納米晶體等人工晶體的生長技術、結構、性能、套用與發展...
《Springer手冊精選系列·晶體生長手冊(第6冊):晶體生長專題(影印版)》致力於精選這一領域的部分現代課題,例如蛋白質晶體生長、凝膠結晶、原位結構、單晶閃爍材料的...
國際晶體生長會議(ICCG)是世界範圍內晶體生長基礎研究、晶體生長方法與技術、人工晶體材料原理結構與性能研究及薄膜材料製備表征與套用的最高級別的國際大型學術盛會。
“晶體提拉法”是利用籽晶從熔體中提拉生長出晶體的方法。該方法能在短期內生長出大而無位錯的高質量單晶,是由J丘克拉斯基 在1917 年首先發明的,所以又稱丘克...
“位錯”的產生是由於晶體生長過程中,熱剪應力超越臨界水平而導致的塑性變形。3、點缺陷預報:該軟體可以預知在晶體生長過程中的點缺陷(自裂縫和空缺),該仿真可以...
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泡生法(Kyropoulos method)由俄羅斯人Kyropoulos發明的一種從熔融液體中生長單晶體的晶體生長法,現在廣泛套用於藍寶石單晶的生長。 泡生法區別於其他生長方法的最大...
提拉法的生長工藝首先將待生長的晶體的原料放在耐高溫的坩堝中加熱熔化,調整爐內溫度場,使熔體上部處於過冷狀態;然後在籽晶桿上安放一粒籽晶,讓籽晶接觸熔體表面,...
磁阻尼法又名磁場中的單晶生長技術,是一種利用磁場使晶體生長的方法。... 外延生長也是一種重要的晶體生長方法。橫拉法是沿著水平方向生長單晶體的一種方法,也稱...
用感應加熱或電阻加熱熔化Al2O3碎塊(Al2O3的熔點約2050℃),熔體通過模具水平側孔進入毛細管中。 [2] 參考資料 1. 機械工業部儀器儀表工業局.晶體生長技術:...
一個籽晶插入熔體上部,這樣,在生長初期,晶體不與鍋壁接觸,以減少缺陷。坩堝也可以水平放置(使用“舟”形坩堝)。凝固過程中可通過移動固-液界面來完成,移動界面的...